氮化硅螺栓<br>

顆粒彌散增韌是在Si 3N 4陶瓷中加入一定粒度的、具有高彈性模量的顆粒,如SiC 、TiC 、TiN 等,在材料斷裂時(shí)促使裂紋發(fā)生偏轉(zhuǎn)和分叉,消耗斷裂能,從而提高氮化硅陶瓷韌性的方法近年來(lái)人們對(duì)引入第二相粒子彌散增韌Si 3N 4復(fù)合材料進(jìn)行了較多的研究,該方法工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜,易于大規(guī)模生產(chǎn)和被市場(chǎng)接受<br>

碳化硅：維氏硬度22.2±2.2GPa在氧化氣氛中可使用到1400℃，在中性或還原氣氛中一直可使用到1850℃<br>

燒結(jié)氮化硅,其熱膨脹系數(shù)較低,為2.53×10-6/℃,導(dǎo)熱率為?18.42?W/m·K,因此它具有優(yōu)良的抗熱震性能,僅次于石英和微晶玻璃,有實(shí)驗(yàn)報(bào)告說(shuō)明密度為2500kg/m3的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅試樣由1200℃冷卻至20℃熱循環(huán)上千次，仍然不破裂，氮化硅陶瓷的熱穩(wěn)定性好，可在高溫中長(zhǎng)期使用<br>
灰色、白色或灰白色<br>

評(píng)價(jià)脆性陶瓷材料抗熱震性能的第二種觀點(diǎn),即基于斷裂力學(xué)概念,以彈性應(yīng)變能W和斷裂能U之間 的平衡條件作為熱震破壞的判據(jù)〔10-12〕 : WΕU (3)當(dāng)熱應(yīng)力引起的儲(chǔ)存在材料中的應(yīng)變能W足以支付裂紋擴(kuò)展新生表面所需的能量,裂紋就擴(kuò)展根據(jù)這一理論可以得到兩個(gè)具有代表性的抗熱應(yīng)力損傷因子R和R′′′′: R=E/σ2 f(1-υ )(4)R′′′′=Eγf/σ2 f(1-υ )(5) 其中γf為斷裂表面能(J/m2 ),其余符號(hào)的物理意義同 上<br>

耐熱，在常壓下，Si3N4沒(méi)有熔點(diǎn)氮化硅具有耐磨，耐熱性，用作蒸汽噴嘴，在800℃的鍋爐工作半年后無(wú)明顯損壞，其他耐熱蝕合金噴嘴在同樣條件下只能使用1-2個(gè)月<br>
比體積電阻，20℃時(shí)為1.4×105 ·m,500℃時(shí)為4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

另一個(gè)經(jīng)常用于估算膜的彈性模量的關(guān)系為：yyEHσσθ)]3/cosln(1)[3/2(+=，式中yσ為壓縮屈服應(yīng)力，而θ為壓頭的半角由于此式的理論基礎(chǔ)不明確，從而限制了它的應(yīng)用采用此式計(jì)算Ti3SiC2的彈性模量為1188GPa，比實(shí)際測(cè)量值310GPa高很多正鑒于此，有必要對(duì)硬度和彈性模量之間的關(guān)系進(jìn)行進(jìn)一步的研究<br>
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